型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET62905-24￥3.024025-49￥2.800050-99￥2.6432100-499￥2.5760500-2499￥2.53122500-4999￥2.47525000-9999￥2.4528≥10000￥2.4192 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA140N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V72425-49￥33.801350-199￥32.3568200-499￥31.5479500-999￥31.34571000-2499￥31.14342500-4999￥30.91235000-7499￥30.7679≥7500￥30.6234 -
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品类: MOS管描述: 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET630120-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET76911-9￥36.783010-99￥34.6725100-249￥33.1047250-499￥32.8635500-999￥32.62231000-2499￥32.35102500-4999￥32.1098≥5000￥31.9590 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。99675-49￥25.810250-199￥24.7072200-499￥24.0895500-999￥23.93511000-2499￥23.78072500-4999￥23.60425000-7499￥23.4939≥7500￥23.3836 -
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品类: MOS管描述: 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET52285-24￥1.755025-49￥1.625050-99￥1.5340100-499￥1.4950500-2499￥1.46902500-4999￥1.43655000-9999￥1.4235≥10000￥1.4040
